Моя заявка (0)

MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]

MS30N100HGC0, Транзистор N-MOSFET 1000В 30А 290Вт [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001265913
Артикул
MS30N100HGC0
Бренд
Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
Вес, г
7.5
Корпус
TO-247
Структура
N-Channel
Крутизна характеристики, S
30
Цена по запросу
(от 713 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г7.5
КорпусTO-247
СтруктураN-Channel
Крутизна характеристики, S30
Пороговое напряжение на затворе3…5.5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт290
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.38 Ом/15А, 10В

Техническая документация