Моя заявка (0)

MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]

MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001265915
Артикул
MS12N120HGC0
Бренд
Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
Вес, г
7.5
Корпус
TO-247
Структура
N-Channel
Крутизна характеристики, S
9
Цена по запросу
(от 567 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г7.5
КорпусTO-247
СтруктураN-Channel
Крутизна характеристики, S9
Пороговое напряжение на затворе2.5…5.5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт290
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 Ом/1А, 10В

Техническая документация