MRFX1K80GNR5, RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062517342
- Артикул
- MRFX1K80GNR5
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 5.29
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 3.333кВт
- Количество Выводов
- 4вывод(-ов)
Цена по запросу
(от 62 260 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 5.29 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 3.333кВт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | OM-1230G |
| Рассеиваемая Мощность | 3.333кВт |
| Напряжение Истока-стока Vds | 179В |
| Стиль Корпуса Транзистора | OM-1230G |
| Минимальная Рабочая Частота | 1.8МГц |
| Максимальная Рабочая Частота | 400МГц |
| Максимальная Рабочая Температура | 225°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |