MRFG35003N6AT1, Trans RF MOSFET 8V 4-Pin PLD-1.5 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002257142
- Артикул
- MRFG35003N6AT1
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Gain
- 10dB
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Series
- -
Цена по запросу
(от 3 910 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans RF MOSFET 8V 4-контактный PLD-1.5 T/R
Технические параметры
| Gain | 10dB |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Series | - |
| Material | GaAs |
| Mounting | Surface Mount |
| Frequency | 3.55GHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Obsolete |
| Manufacturer | NXP USA Inc. |
| Noise Figure | - |
| Configuration | Single Dual Source |
| Package Width | 5.97(Max) |
| Current - Test | 180mA |
| Package / Case | PLD-1.5 |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Power - Output | 450mW |
| Voltage - Test | 6V |
| Transistor Type | pHEMT FET |
| Voltage - Rated | 8V |
| Base Part Number | MRFG35003 |
| Supplier Package | PLD-1.5 |
| Mode of Operation | 1-Carrier W-CDMA |
| Структура | MOSFET |
| Current Rating (Amps) | - |
| Standard Package Name | PLD-1.5 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Особенности | 520мгц 8вт |
| Maximum Frequency (MHz) | 5000 |
| Minimum Frequency (MHz) | 500 |
| Supplier Device Package | PLD-1.5 |
| Typical Power Gain (dB) | 10 |
| Maximum Output Power (W) | 0.45(Typ) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 27 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | -5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Пороговое напряжение на затворе | 12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |