MRFE6VP6300HR5, RF FET Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8581053024
- Артикул
- MRFE6VP6300HR5
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Screw
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 33 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH 130V 5-контактный NI-780 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Screw |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 12.73 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 65 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Output Power (W) | 300(Typ) |
| Supplier Package | NI-780 |
| Mode of Operation | CW |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 600 |
| Minimum Frequency (MHz) | 1.8 |
| Typical Power Gain (dB) | 26.5 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 74 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1050000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 130 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 225 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 188 50V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 76 50V |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 0.8 50V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1050 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |