MRFE6VP61K25HSR5, Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002256958
- Артикул
- MRFE6VP61K25HSR5
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 86 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH 133V в 4-контактном корпусе 375E-04 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 8.488 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 65 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Package Width | 10.29(Max) |
| Package Length | 32.38(Max) |
| Output Power (W) | 1300(Typ) |
| Supplier Package | Case 375E-04 |
| Mode of Operation | CW|Pulsed RF |
| Process Technology | LDMOS |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 600 |
| Minimum Frequency (MHz) | 1.8 |
| Typical Power Gain (dB) | 24 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 74 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1333000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 133 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 225 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 562@50V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 185@50V |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 2.8@50V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 133 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |