MRFE6S9205HSR3, Trans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034842295
- Артикул
- MRFE6S9205HSR3
- Бренд
- NXP Semiconductor
- HTS
- COMPONENTS
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 6 170 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | COMPONENTS |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 10 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 13.8(Max) |
| Package Height | 5.08(Max) |
| Package Length | 23.24(Max) |
| Output Power (W) | 58(Typ) |
| Supplier Package | NI-880S |
| Mode of Operation | 1-Carrier W-CDMA |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 1000 |
| Typical Power Gain (dB) | 21.2 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 34 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 66 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 225 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 491@28V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 590@28V |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 1.63@28V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |