MRF8HP21130HSR3, Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002261977
- Артикул
- MRF8HP21130HSR3
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 19 530 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-контактный корпус 465H-02 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 10 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Package Width | 9.91(Max) |
| Package Length | 20.7(Max) |
| Supplier Package | Case 465H-02 |
| Mode of Operation | 1-Carrier W-CDMA |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 2170 |
| Minimum Frequency (MHz) | 2110 |
| Typical Power Gain (dB) | 14 |
| Maximum Output Power (W) | 28(Typ) |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 45.1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 118000 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |