Моя заявка (0)

MRF300BN, RF FET Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

MRF300BN, RF FET Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000604529
Артикул
MRF300BN
Бренд
NXP Semiconductor
ECCN
EAR99
Gain
18.7dB
HTSUS
8541.29.0075
Package
Tray
Цена по запросу
(от 12 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзисторы и сборки MOSFET TO247

Технические параметры

ECCNEAR99
Gain18.7dB
HTSUS8541.29.0075
PackageTray
MountingThrough Hole
Frequency27MHz ~ 250MHz
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г8.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247
REACH StatusREACH Unaffected
Rad HardenedNo
КорпусTO-247
Package / CaseTO-247-3
Power - Output300W
Voltage - Test50V
Frequency (Max)250(MHz)
Frequency (Min)1.8(MHz)
Screening LevelAutomotive
Transistor TypeLDMOS
Mode Of OperationCW
Power Dissipation272Вт
Number of Elements1
Output Power (Max)330(TYP)
Base Product NumberMRF300 ->
Operating Temp Range-40C to 125C
Drain Efficiency (Typ)75.5(%)
Особенностивысокочастотный
Power Dissipation (Max)272000(mW)
Supplier Device PackageTO-247
Reverse Capacitance (Typ)2.31@50V(pF)
Drain Source Voltage (Max)133(V)
Input Capacitance (Typ)@Vds403@50V(pF)
Output Capacitance (Typ)@Vds104@50V(pF)
Forward Transconductance (Typ)28(S)
Moisture Sensitivity Level (MSL)Not Applicable
Линейка ПродукцииMRF300AN; MRF300BN
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Корпус РЧ ТранзистораTO-247
Рассеиваемая Мощность272Вт
Напряжение Истока-стока Vds133В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Минимальная Рабочая Частота1.8МГц
Максимальная Рабочая Частота250МГц
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В133
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт272
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация