Моя заявка (0)

MRF1K50NR5, RF FET Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230

MRF1K50NR5, RF FET Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000435214
Артикул
MRF1K50NR5
Бренд
NXP Semiconductor
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
5
Automotive
No
Цена по запросу
(от 39 800 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

транз: PRF 1500W, 50V , >22.7dB, >72.8%, 1.8 - 500МГц, LDMOS, пластик

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveNo
Вес, г0.3
Channel TypeN
Supplier PackageCase OM-1230 L
Mode of OperationPulse
Power Dissipation2.941кВт
Output Power - (W)1500
Особенностивысокочастотный
Maximum Frequency - (MHz)500
Minimum Frequency - (MHz)1.8
Typical Power Gain - (dB)23
Operating Temperature - (??C)-40~150
Maximum Power Dissipation - (mW)2941000
Maximum Gate Source Voltage - (V)10
Линейка ПродукцииMRF1K50N
Maximum Drain Source Voltage - (V)133
Количество Выводов4вывод(-ов)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)683@50V
Корпус РЧ ТранзистораOM-1230
Рассеиваемая Мощность2.941кВт
Напряжение Истока-стока Vds133В
Стиль Корпуса ТранзистораOM-1230
Минимальная Рабочая Частота500МГц
Максимальная Рабочая Частота1.8МГц
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В133
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация