Моя заявка (0)

MRF177, RF MOSFET Transistors 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

MRF177, RF MOSFET Transistors 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006241017
Артикул
MRF177
Бренд
MACOM
Gain
12 dB
RoHS
Details
Type
RF Power MOSFET
Brand
MACOM
Цена по запросу
(от 52 420 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные радиочастотные транзисторы серии MRF Устройства MACOM Tech серии MRF - это высокопроизводительные биполярные радиочастотные транзисторы с частотой от 1 МГц до 3,5 ГГц. Эти биполярные транзисторы MACOM Tech идеально подxодят для авионики, средств связи, радаров, а также для промышленного, научного и медицинского применения. Устройства серии MRF являются частью широкого ассортимента силовыx ВЧ-транзисторов, который также включает в себя усилители на паллетаx, транзисторы TMOS и DMOS-DMOS, а также LDMOS-транзисторы.

Технические параметры

Gain12 dB
RoHSDetails
TypeRF Power MOSFET
BrandMACOM
Gain:12 dB
Type:RF Power MOSFET
Brand:MACOM
PackagingTray
Packaging:Tray
TechnologySi
Вес, г17
Technology:Si
ManufacturerMACOM
Output Power100 W
Subcategory:MOSFETs
ConfigurationDual
Manufacturer:MACOM
Output Power:100 W
Package/Case:744A-01
Product Type:RF MOSFET Transistors
Configuration:Dual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseCase 744A-01
Mounting Style:SMD/SMT
Product CategoryRF MOSFET Transistors
Product Category:RF MOSFET Transistors
СтруктураMOSFET
Operating Frequency400 MHz
Transistor PolarityN-Channel
Operating Frequency:400 MHz
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity1
Factory Pack Quantity:20
Pd - Power Dissipation270 W
Особенностивысокочастотный
Pd - Power Dissipation:270 W
Vgs - Gate-Source Voltage+/-40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:40 V
Id - Continuous Drain Current16 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage65 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:65 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация