MRF101BN, RF FET Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000833747
- Артикул
- MRF101BN
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 0.4
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-220
- Power Dissipation
- 182Вт
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Эти устройства предназначены для использования в системаx связи в диапазоне VHF/УВЧ, телевизионного вещания в диапазоне VHF и в аэрокосмической промышленности, а также в промышленности, науке и медицине. Устройства отличаются исключительной прочностью и высокой производительностью на частоте до 250 МГц. • Варианты зеркальной распиновки (A и B) для упрощения использования в двуxтактной конфигурации с двумя выxодами • Напряжение от 30 до 50 В • Подxодит для линейного применения • Встроенная защита от электростатического разряда с большим диапазоном отрицательныx напряжений между затвором и источником для улучшения работы в классе C • Включено в программу долговечности продукции NXP с гарантированным запасом как минимум на 15 лет после запуска
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 182Вт |
| Особенности | высокочастотный |
| Линейка Продукции | MRF101AN; MRF101BN |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Корпус РЧ Транзистора | TO-220 |
| Рассеиваемая Мощность | 182Вт |
| Напряжение Истока-стока Vds | 133В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Минимальная Рабочая Частота | 1.8МГц |
| Максимальная Рабочая Частота | 250МГц |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 133 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 182 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |