Моя заявка (0)

MPSA05RA, 100nA 60V 625mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz NPN 250mV@100mA,10mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

MPSA05RA, 100nA 60V 625mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz NPN 250mV@100mA,10mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646711
Артикул
MPSA05RA
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.25
Power - Max
625 mW
Package Type
TO-92
Цена по запросу
(от 28,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.25
Power - Max625 mW
Package TypeTO-92
КорпусTO-92
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)Formed Leads
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageTO-92-3
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation625 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage4 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Maximum Collector Base Voltage60 V
Current - Collector Cutoff (Max)100µA(ICBO)
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100

Техническая документация