MPS8050S-D-RTK/P, Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 350мВт 160 при 100 мА, 1 В 1,5 А 100 МГц 280 мВ при 800 мА, 80 мА NPN +150-@(Tj) SOT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015846726
- Артикул
- MPS8050S-D-RTK/P
- Бренд
- Korea Electronics
- Вес, г
- 0.8
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
- Operating Temperature
- -
Цена по запросу
(от 2,22 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 350 МВт, 160 В при 100 мА, 1 В 1,5 А, биполярные транзисторы NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.8 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@800mA, 80mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 350мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |