Моя заявка (0)

MMUN2238LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; 2,2кОм

MMUN2238LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; 2,2кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017548753
Артикул
MMUN2238LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
ON Semiconductor
Series
MMUN2238L
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Технические параметры

BrandON Semiconductor
SeriesMMUN2238L
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.1
Длина2.9 mm
СерияMMUN2238L
SubcategoryTransistors
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Product CategoryBipolar Transistors-Pre-Biased
Структураpnp
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation246 mW
Typical Input Resistor2.2 kOhms
DC Current Gain HFE Max160
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Peak DC Collector Current100 mA
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current0.1 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min160
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности246 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.160
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация