MMUN2233LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062912744
- Артикул
- MMUN2233LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- MMUN2233L
- Вес, г
- 0.02
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | MMUN2233L |
| Вес, г | 0.02 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 246 mW |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.1 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Continuous Collector Current: | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80, 200 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |