MMUN2231LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051570925
- Артикул
- MMUN2231LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MMUN2231L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| DC Current Gain hFE Min | 8hFE |
| Minimum DC Current Gain | 8@5mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain Range | <30 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 2.2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-23 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Резистор База-эмиттер R2 | 2.2кОм |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 246 mW |
| Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@5mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 8 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8, 15 |