Моя заявка (0)

MMUN2230LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R1: 1кОм

MMUN2230LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R1: 1кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062937739
Артикул
MMUN2230LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
MMUN2230L
Вес, г
0.1
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:MMUN2230L
Вес, г0.1
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Power Dissipation400мВт
Product Category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
Структураpnp
Transistor Polarity:NPN
DC Current Gain hFE Min3hFE
Pd - Power Dissipation:246 mW
Typical Input Resistor:1 kOhms
Typical Resistor Ratio:1
DC Current Gain hFE Max:3
Peak DC Collector Current:100 mA
Continuous Collector Current100мА
Continuous Collector Current:0.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:3
Collector Emitter Voltage Max NPN50В
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Корпус РЧ ТранзистораSOT-23
Полярность ТранзистораSingle NPN
Резистор База-эмиттер R21кОм
Резистор На входе Базы R11кОм
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация