Моя заявка (0)

MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]

MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000771658
Артикул
MMUN2213LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Корпус
SOT-23
Структура
2 x npn
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.246
Цена по запросу
(от 3,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, ЦИФРОВОЙ, SOT-23; Полярность цифрового транзистора: Одиночный NPN; Напряжение коллектора-эмиттера, V(br) ceo: 50 В; Постоянный ток коллектора Ic:100 мА; Базовый вxодной резистор R1:47 Ком; Базово-эмиттерный резистор R2:47 Ком; Соотношение резисторов, R1 / R2:1 (Соотношение); Корпус радиочастотного транзистора: SOT-23; Количество контактов: 3; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (включено): -250 мВ; Постоянный ток коллектора Ic Max: 100 мА; Постоянный ток Ic a Max:100 мА; Ток Ic hFE:5 мА; Ток коллектора постоянного тока:100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:140hFE; Минимальное значение Hfe:80; Количество контактов: 3; Количество транзисторов: 1; Максимальная рабочая температура: 150 В°C; Минимальная рабочая температура: -55 В°C; Конфигурация контактов: 1; Рассеиваемая мощность Pd: 246 МВт; Максимальная рассеиваемая мощность Ptot: 200 МВт; Сопротивление R1:47 Ком; Сопротивление R2:47 Ком; Маркировка SMD: A8C; Тип корпуса транзистора: SOT-23; Тип транзистора: Резистор смещения (BRT); Напряжение Vcbo: 50 В

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусSOT-23
Структура2 x npn
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.246
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация