MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]
![MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000771658
- Артикул
- MMUN2213LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- 2 x npn
- Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
- 0.246
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, ЦИФРОВОЙ, SOT-23; Полярность цифрового транзистора: Одиночный NPN; Напряжение коллектора-эмиттера, V(br) ceo: 50 В; Постоянный ток коллектора Ic:100 мА; Базовый вxодной резистор R1:47 Ком; Базово-эмиттерный резистор R2:47 Ком; Соотношение резисторов, R1 / R2:1 (Соотношение); Корпус радиочастотного транзистора: SOT-23; Количество контактов: 3; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (включено): -250 мВ; Постоянный ток коллектора Ic Max: 100 мА; Постоянный ток Ic a Max:100 мА; Ток Ic hFE:5 мА; Ток коллектора постоянного тока:100 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:140hFE; Минимальное значение Hfe:80; Количество контактов: 3; Количество транзисторов: 1; Максимальная рабочая температура: 150 В°C; Минимальная рабочая температура: -55 В°C; Конфигурация контактов: 1; Рассеиваемая мощность Pd: 246 МВт; Максимальная рассеиваемая мощность Ptot: 200 МВт; Сопротивление R1:47 Ком; Сопротивление R2:47 Ком; Маркировка SMD: A8C; Тип корпуса транзистора: SOT-23; Тип транзистора: Резистор смещения (BRT); Напряжение Vcbo: 50 В
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | 2 x npn |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.246 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |