Моя заявка (0)

MMUN2213LT1G NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

MMUN2213LT1G NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014468155
Артикул
MMUN2213LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Width
1.3 mm
Height
0.94 mm
Цена по запросу
(от 10,33 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 47кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Width1.3 mm
Height0.94 mm
Length2.9 mm
SeriesMMUN2213L
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count3
Вес, г1
SubcategoryTransistors
Unit Weight0.050717 oz
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOT-23
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-Pre-Biased
Структура2 x npn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation246 mW
Typical Input Resistor47 kΩ
Typical Resistor Ratio1
DC Current Gain HFE Max80
Transistor ConfigurationSingle
Peak DC Collector Current100 mA
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current0.1 A
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min80
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.246
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация