Моя заявка (0)

MMUN2212LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm

MMUN2212LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8215959780
Артикул
MMUN2212LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Длина
2.9 mm
Серия
MMUN2212L
Высота
0.94 mm
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Микросборка комбинированная SOT23-3

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина2.9 mm
СерияMMUN2212L
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.3 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности246 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.60
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация