Моя заявка (0)

MMUN2211LT1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMUN2211LT1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001055573
Артикул
MMUN2211LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 2977 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 10кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Supplier PackageSOT-23
Process TechnologyBipolar
Структураnpn с 2 резисторами
Standard Package NameSOT
Typical Input Resistor10 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain35 5mA 10V
Transistor ConfigurationSingle
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum DC Current Gain Range30 to 50
Typical Input Resistor (kOhm)10
Maximum Power Dissipation (mW)400
кол-во в упаковке3000
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25 0.3mA 10mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.246
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация