Моя заявка (0)

MMUN2135LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

MMUN2135LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003078304
Артикул
MMUN2135LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.4
Серия
MMUN2135L
Power Dissipation
400мВт
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP DIGITAL TRANSISTOR

Технические параметры

Вес, г0.4
СерияMMUN2135L
Power Dissipation400мВт
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min80hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max PNP50В
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-23
Полярность ТранзистораSingle PNP
Резистор База-эмиттер R247кОм
Pd - рассеивание мощности246 mW
Резистор На входе Базы R12.2кОм
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R20.047соотношение
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный PNP
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Типичный коэффициент деления резистора0.047
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация