Моя заявка (0)

MMUN2131LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm

MMUN2131LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8420222474
Артикул
MMUN2131LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.002
Длина
2.9 mm
Серия
MMUN2131L
Высота
0.94 mm
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Вес, г0.002
Длина2.9 mm
СерияMMUN2131L
Высота0.94 mm
Ширина1.3 mm
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности246 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.8
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация