Моя заявка (0)

MMUN2130LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R1: 1кОм

MMUN2130LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R1: 1кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049090042
Артикул
MMUN2130LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.1
Длина
2.9 mm
Серия
MMUN2130L
Высота
0.94 mm
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Технические параметры

Вес, г0.1
Длина2.9 mm
СерияMMUN2130L
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности246 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление1 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.3
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)3
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация