MMUN2115LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, 10кОм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541393
- Артикул
- MMUN2115LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT23
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 23,76 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, 10кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Base resistor | 10kΩ |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | PNP |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 0.246W |
| Kind of transistor | BRT |
| Type of transistor | PNP |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | None |
| Minimum DC Current Gain | 160@5mA@10V |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-emitter voltage | 50V |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |