Моя заявка (0)

MMUN2112LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм

MMUN2112LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025165932
Артикул
MMUN2112LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SOT23
Mounting
SMD
Вес, г
0.02
Длина
2.9 mm
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

CaseSOT23
MountingSMD
Вес, г0.02
Длина2.9 mm
СерияMMUN2112L
Polarisationbipolar
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Base resistor22kΩ
Kind of packagereel, tape
Collector current0.1A
Power dissipation0.246W
Kind of transistorBRT
Type of transistorPNP
Структураpnp
Base-emitter resistor22kΩ
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage50V
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
кол-во в упаковке3000
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности246 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.60
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60

Техническая документация