Моя заявка (0)

MMUN2112LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm

MMUN2112LT1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014726639
Артикул
MMUN2112LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SOT23
Mounting
SMD
Вес, г
0.033
Длина
2.9 mm
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R1: 22кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

CaseSOT23
MountingSMD
Вес, г0.033
Длина2.9 mm
СерияMMUN2112L
Polarisationbipolar
Высота0.94 mm
КорпусTO236
Ширина1.3 mm
Base resistor22kΩ
Kind of packagereel, tape
Collector current0.1A
Power dissipation0.246W
Kind of transistorBRT
Type of transistorPNP
Структураpnp
Base-emitter resistor22kΩ
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage50V
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
кол-во в упаковке3000
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности246 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.60
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация