MMSTA56-7-F, Bipolar Transistors - BJT -80V 200mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005060141
- Артикул
- MMSTA56-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.2 mm
- Серия
- MMSTA
Цена по запросу
(от 35,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT -80V 200mW
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | MMSTA |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT: | 50 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |