Моя заявка (0)

MMSTA05-7-F, Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R

MMSTA05-7-F, Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001226254
Артикул
MMSTA05-7-F
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 60V 200mW

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г1
Длина2.2 mm
СерияMMSTA
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberMMSTA05 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация