MMST5551-7-F, Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001036117
- Артикул
- MMST5551-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 2484 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 160 В 0,2 А 200 МВт 3-контактный SOT-323 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | MMST5551 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-323 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-323 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Minimum DC Current Gain | 30 50mA 5V|80 10mA 5V|80 1mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 5mA 50mA|1 1mA 10mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2 5mA 50mA|0.15 1mA 10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |