Моя заявка (0)

MMST4403-7-F, Транзистор биполярный PNP SOT-323, 40 В, 200 мВт, 100 @ 150 мА, 2 В, 600 мА

MMST4403-7-F, Транзистор биполярный PNP SOT-323, 40 В, 200 мВт, 100 @ 150 мА, 2 В, 600 мА

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073198454
Артикул
MMST4403-7-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.04
Длина
2.2 mm
Серия
MMST44
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.04
Длина2.2 mm
СерияMMST44
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Вид монтажаSMD/SMT
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:200 mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:30
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:750 mV
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация