Моя заявка (0)

MMST3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 60V NPN 40Vceo 200mA 200mW

MMST3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 60V NPN 40Vceo 200mA 200mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005060133
Артикул
MMST3904Q-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Серия
MMST3904
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
200мВт
Цена по запросу
(от 22,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN 40Vceo 200mA 200mW

Технические параметры

Вес, г0.01
СерияMMST3904
Transistor TypeNPN
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)200mA
Power Dissipation (Pd)200mW
DC Current Gain hFE Min30hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)300MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current200мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 1V
Collector Emitter Voltage Max40В
DC Усиление Тока hFE30hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@5mA, 50mA
Непрерывный коллекторный ток200 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация