Моя заявка (0)

MMST2907AQ-7, 10nA 60V 200mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

MMST2907AQ-7, 10nA 60V 200mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017656047
Артикул
MMST2907AQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Корпус
SOT-323-3
Структура
pnp
Технология
Si
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Small Signal Transistor

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусSOT-323-3
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток600 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора600 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц200
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация