Моя заявка (0)
MMST2222A-7-F, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061908740
Артикул
MMST2222A-7-F
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 27,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 40V 200mW

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г1
Длина2.2 mm
СерияMMST22
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberMMST2222 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition300MHz
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Current - Collector Cutoff (Max)10nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)75 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация