Моя заявка (0)

MMS8050-H-TP, Транзистор биполярный BJT 25 В 300мВт 120 @ 50 мА, 1 В 500 мА Биполярные Транзистор NPN SOT-23 - BJT

MMS8050-H-TP, Транзистор биполярный BJT 25 В 300мВт 120 @ 50 мА, 1 В 500 мА Биполярные Транзистор NPN SOT-23 - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026220863
Артикул
MMS8050-H-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Вес, г
0.01
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 7,93 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN PURPOSE AMPLIFIER

Технические параметры

Вес, г0.01
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Технология:Si
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)300mW
Вид монтажа:SMD/SMT
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Transition Frequency (fT)150MHz
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Производитель:Micro Commercial Components (MCC)
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@50mA, 1V
Торговая марка:Micro Commercial Components (MCC)
Упаковка / блок:SOT-23-3
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)25V
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:0.3 W
Размер фабричной упаковки:3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@500mA, 50mA
Напряжение коллектор-база (VCBO):40 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300мВт
Максимальный постоянный ток коллектора:0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.6 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:350
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):150 MHz

Техническая документация