MMRF1316NR1, Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002255482
- Артикул
- MMRF1316NR1
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 46 860 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный ВЧ-МОП-транзистор N-CH 133V с 4-контактным разъемом TO-270 WB EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 65 |
| Package Width | 9.07(Max) |
| Package Length | 17.58(Max) |
| Output Power (W) | 361(Typ) |
| Supplier Package | TO-270 WB EP |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Mode of Operation | Pulse |
| Структура | N-Channel |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 600 |
| Minimum Frequency (MHz) | 1.8 |
| Typical Power Gain (dB) | 27 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 71 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 909000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 133 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 168@50V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 63@50V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 1.4@50V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 133 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 270 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |