MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2, Polar3™, полевой, 500В, 30А, Idm: 150А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003898325
- Артикул
- MMIX2F60N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- SMPD
- Mounting
- SMD
- Technology
- HiPerFET™, Polar3™
- Вес, г
- 7.5
Цена по запросу
(от 5 672,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, Polar3™, полевой, 500В, 30А, Idm: 150А Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Mounting | SMD |
| Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
| Вес, г | 7.5 |
| Gate charge | 96nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 30A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 320W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 150A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.8mΩ@38A, 10V |