GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000219641
- Артикул
- MMIX1T600N04T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 23.25mm
- Series
- GigaMOS, HiperFET
- Pin Count
- 24
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 10 085,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 40В, 600А, Idm: 2кА, 830Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 23.25mm |
| Series | GigaMOS, HiperFET |
| Pin Count | 24 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | MMIX1T600N04 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SMPD |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 830 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 590 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | SMPD-24 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 590 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 600 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 830 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |