MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 63А, Idm: 330А, 520Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003285313
- Артикул
- MMIX1F132N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- SMPD
- Mounting
- SMD
- Technology
- HiPerFET™, Polar3™
- Вес, г
- 8.17
Цена по запросу
(от 6 594,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 63А, Idm: 330А, 520Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Mounting | SMD |
| Technology | HiPerFET™, Polar3™ |
| Вес, г | 8.17 |
| Gate charge | 267nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 63A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 520W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 43mΩ |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 330A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@8mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 63 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 520 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100mΩ@10V, 24A |