Моя заявка (0)
MMFTP6312D, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038222702
Артикул
MMFTP6312D
Бренд
Diotec Semiconductor
Case
SOT26, SOT457
Brand:
Diotec Semiconductor
Series:
MMFTN/P
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 37,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.

Технические параметры

CaseSOT26, SOT457
Brand:Diotec Semiconductor
Series:MMFTN/P
MountingSMD
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.04
Gate charge4.4nC
ManufacturerDIOTEC SEMICONDUCTOR
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Drain current-2.3A
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:MOSFET
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation0.7W
Product Category:MOSFET
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±8V
On-state resistance155mΩ
Drain-source voltage-20V
Pulsed drain current-7A
Особенности-
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация