MMFTN6001,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 440 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716342
- Артикул
- MMFTN6001
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- MMFTN/P
- Version
- N channel
- Assembly
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | MMFTN/P |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Power loss | 530 mW |
| Rise Time: | 5.1 ns |
| Tradename: | MMFTN6001 |
| Вес, г | 2.747 |
| Technology: | Si |
| Max. current | 440 mA |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | 60 V |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 530 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 440 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 420 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом |