MMFTN3404A, SOT-23, 30 В, 23 мОм DIO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016791195
- Артикул
- MMFTN3404A
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- I d
- 5.6 А
- Q g
- 6.7 нКл
- Case
- SOT23
- Brand:
- Diotec Semiconductor
Цена по запросу
(от 7,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| I d | 5.6 А |
| Q g | 6.7 нКл |
| Case | SOT23 |
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 2.3 ns |
| Rise Time: | 29 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 5.6A |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-23 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.25W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 23mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 22A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Полярность | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23 мОм |