MMFTN170-VB, 60V 250mA 2.8-@10V,200mA 300mW 2.5V@250uA 2pF@25V N Channel 25pF@25V 400pC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015890821
- Артикул
- MMFTN170-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.06
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 250 мА 2.8Ohm@10V,200 мА 300 МВт 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.06 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 400pC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8Ω@10V, 200mA |