Моя заявка (0)

MMFTN138W, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 0.88A; 200mW

MMFTN138W, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 0.88A; 200mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037716685
Артикул
MMFTN138W
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Series:
MMFTN/P
Fall Time:
34.5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Series:MMFTN/P
Fall Time:34.5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:18 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:220 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10.5 ns
Id - Continuous Drain Current:220 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Forward Transconductance - Min:0.26 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.88
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт138
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.4 Ом

Техническая документация