MMFTN138K, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075481464
- Артикул
- MMFTN138K
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- SOT23
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- MMFTN/P
- Version
- ESD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | MMFTN/P |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13.3 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Gate charge | 1.3nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.36A |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Power dissipation | 0.35W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.3 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 6.5Ω |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 1.2A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 360 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |