Моя заявка (0)

MMDT5551, 50nA 160V 200mW 100@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA 2 NPN +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015806708
Артикул
MMDT5551
Бренд
YANGJIE
Вес, г
0.03
Корпус
SOT-363
Transistor Type
2 NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы SOT-363 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусSOT-363
Transistor Type2 NPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)200mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Transition Frequency (fT)100MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@50mA, 5mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100

Техническая документация