Моя заявка (0)

MMDT5451-7-F, Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R

MMDT5451-7-F, Trans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001141864
Артикул
MMDT5451-7-F
Бренд
DIODES INC.
Case
SOT363
Mounting
SMD
Pin Count
6
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT363
MountingSMD
Pin Count6
Вес, г1
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Package TypeSOT-363(SC-88)
Polarisationbipolar
КорпусSOT-363
Mounting TypeSurface Mount
Kind of packagereel, tape
Transistor TypeNPN+PNP
Collector current0.2A
Power dissipation0.2W
Kind of transistorcomplementary pair
Type of transistorNPN/PNP
Структураnpn
Collector Current (Ic)200mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Minimum DC Current Gain80, 60
Transistor ConfigurationIsolated
Collector-emitter voltage160/150V
Maximum Power Dissipation200 mW
Transition Frequency (fT)100MHz
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip2
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@10mA, 5V;60@10mA, 5V
Maximum DC Collector Current200 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage180 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Maximum Collector Emitter Voltage160 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)160V;150V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@50mA, 5mA;500mV@50mA, 5mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.2

Техническая документация