Моя заявка (0)

MMDT5401-7-F, Транзистор: PNP x2, биполярный, 150В, 0,2А, 200мВт, SOT363

MMDT5401-7-F, Транзистор: PNP x2, биполярный, 150В, 0,2А, 200мВт, SOT363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043298733
Артикул
MMDT5401-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.02
Длина:
2.2 mm
Серия:
MMDT54
Корпус
SOT-363
Цена по запросу
(от 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT -150V 200mW

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина:2.2 mm
Серия:MMDT54
КорпусSOT-363
Высота:1 mm
Ширина:1.35 mm
Структураpnp
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Конфигурация:Dual
Подкатегория:Transistors
Производитель:Diodes Incorporated
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:SOT-363-6
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистора:PNP
Pd - рассеивание мощности:200 mW
Размер фабричной упаковки:3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):- 5 V
Непрерывный коллекторный ток:- 0.2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO):- 160 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:- 150 V
Максимальный постоянный ток коллектора:0.2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:- 0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:240
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В150
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):300 MHz

Техническая документация