Моя заявка (0)

MMDT4413-7-F, null 200mW 100@150mA,2V 600mA 750mV@500mA,50mA 1PCSNPN&1PCSPNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

MMDT4413-7-F, null 200mW 100@150mA,2V 600mA 750mV@500mA,50mA 1PCSNPN&1PCSPNP -65°C~+150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017625903
Артикул
MMDT4413-7-F
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Type
NPN|PNP
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 12,32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN/PNP 40 В 0,6 А 200 МВт 6-контактный SOT-363 T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN|PNP
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed6
Part StatusActive
Package TypeSOT-363(SC-88)
КорпусSOT-363
ConfigurationDual
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN+PNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-363
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain100
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency250 MHz
Number of Elements per Chip2
Maximum DC Collector Current600 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Power Dissipation (mW)200
Maximum DC Collector Current (A)0.6
Maximum Emitter Base Voltage (V)6 NPN|5 PNP
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Maximum Collector Base Voltage (V)60 NPN|40 PNP
Maximum Transition Frequency (MHz)250(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.4 15mA 150mA|0.75 50mA 500mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600

Техническая документация